Cumhdach Carbide Sileacain

Is cuid crua-earraí é an fáinne barr epi SiC 8-orlach d'imoibreoirí leathsheoltóra. Oibríonn sé laistigh de chórais epitaxy Si/Sic agus MOCVD/CVD. Déanann an fáinne seo an teas laistigh den seomra a chobhsú. Rialaíonn sé freisin sreabhadh na ngás. Is é an t-ábhar CVD Silicon Carbide ard-íonachta. Níl na saincheisteanna outgassing de graifít aige. Laghdaíonn sé freisin éilliú cáithníní le linn production.We fáilte roimh do chuid fiosruithe.

Is éard atá i VETEK MOCVD Susceptor Brataithe SiC ná réiteach iompróra beachtais a forbraíodh go sonrach le haghaidh fás epitaxial leathsheoltóra LED agus cumaisc. Léiríonn sé aonfhoirmeacht theirmeach eisceachtúil agus táimhe ceimiceach laistigh de thimpeallachtaí casta MOCVD. Ag baint leasa as dianphróiseas taisce CVD VETEK, táimid tiomanta do chomhsheasmhacht fáis wafer a fheabhsú agus saol seirbhíse na gcomhpháirteanna lárnacha a leathnú, ag soláthar dearbhú feidhmíochta cobhsaí agus iontaofa do gach baisc de do tháirgeadh leathsheoltóra.

Is comhpháirt ríthábhachtach inchaite é Fáinne Fócais Carbide Sileacain Soladach Veteksemicon (SiC) a úsáidtear i bpróisis eitseála leathsheoltóra chun cinn agus eitseáil plasma, áit a bhfuil rialú beacht ar dháileadh plasma, aonfhoirmeacht theirmeach, agus éifeachtaí imeall wafer riachtanach. Déanta as chomhdhúile sileacain soladach ard-íonachta, taispeánann an fáinne fócasaithe seo friotaíocht creimthe plasma eisceachtúil, cobhsaíocht ardteochta, agus táimhe ceimiceach, rud a chumasaíonn feidhmíocht iontaofa faoi choinníollacha próisis ionsaitheach. Táimid ag tnúth le d'fhiosrúchán.

Is comhpháirt lárnach é seomra Imoibreora Eipiteaiseach Brataithe Veteksemicon SiC atá deartha le haghaidh próisis fáis epitaxial leathsheoltóra éilitheach. Agus leas á bhaint as ard-slógadh gaile ceimiceach (CVD), cruthaíonn an táirge seo sciath dlúth, ard-íonachta SiC ar fhoshraith graifíte ard-neart, rud a fhágann cobhsaíocht ardteochta agus friotaíocht creimeadh níos fearr. Seasann sé go héifeachtach le héifeachtaí creimneach gás imoibreáin i dtimpeallachtaí próisis ardteochta, cuireann sé faoi chois éilliú cáithníneach go suntasach, cinntíonn sé cáilíocht ábhar epitaxial comhsheasmhach agus táirgeacht ard, agus leathnaíonn sé go mór timthriall cothabhála agus saolré an tseomra imoibrithe. Is príomh-rogha é chun éifeachtúlacht déantúsaíochta agus iontaofacht leathsheoltóirí leathanbhanda cosúil le SiC agus GaN a fheabhsú.

I bpróiseas lárnach fáis epitaxial chomhdhúile sileacain, tuigeann Veteksemicon go gcinnfidh feidhmíocht susceptor go díreach cáilíocht agus éifeachtúlacht táirgthe na ciseal epitaxial. Úsáideann ár n-ionadaí EPI ard-íonachta, atá deartha go sonrach don réimse SiC, foshraith speisialta graifíte agus sciath dlúth CVD SiC. De bharr a gcobhsaíocht theirmeach níos fearr, friotaíocht creimeadh den scoth, agus ráta giniúna na gcáithníní thar a bheith íseal, cinntíonn siad aonfhoirmeacht tiús agus dópála gan sárú do chustaiméirí fiú i dtimpeallachtaí crua próisis ardteochta. Is éard atá i gceist le roghnú Veteksemicon ná bunchloch iontaofachta agus feidhmíochta a roghnú do do phróisis déantúsaíochta leathsheoltóra chun cinn.

Is croí-chomhpháirt iompróra i bpróisis epitaxial leathsheoltóra é an t-ionadaí grafite brataithe Veteksemicon SiC do ASM. Úsáideann an táirge seo ár dteicneolaíocht sciath chomhdhúile sileacain pirealaíoch dílsithe agus próisis mheaisínithe beachta chun feidhmíocht níos fearr agus saolré ultra-fhada a chinntiú i dtimpeallachtaí próisis ardteochta agus creimneach. Tuigimid go mór na ceanglais dhian a bhaineann le próisis epitaxial ar íonacht an tsubstráit, cobhsaíocht theirmeach, agus comhsheasmhacht, agus táimid tiomanta do réitigh chobhsaí, iontaofa a sholáthar do chustaiméirí a fheabhsaíonn feidhmíocht trealaimh iomlán.