Soláthraíonn bratuithe carbide uathúla VeTek Semiconductor cosaint níos fearr do chodanna graifíte sa Phróiseas SiC Epitaxy chun ábhair éilitheacha leathsheoltóra agus leathsheoltóra ilchodacha a phróiseáil. Is é an toradh ná saolré comhpháirte graifíte leathnaithe, caomhnú stoichiometry imoibrithe, cosc ar imirce eisíontas chuig feidhmeanna epitaxy agus fás criostail, rud a fhágann méadú ar tháirgeacht agus ar cháilíocht.
Cosnaíonn ár bratuithe chomhdhúile tantalam (TaC) comhpháirteanna foirnéise agus imoibreora ríthábhachtacha ag teochtaí arda (suas le 2200 ° C) ó amóinia te, hidrigin, gal sileacain agus miotail leáite. Tá raon leathan de chumais phróiseála agus tomhais graifíte ag VeTek Semiconductor chun freastal ar do chuid riachtanas saincheaptha, ionas gur féidir linn sciath táille nó seirbhís iomlán a thairiscint, agus ár bhfoireann innealtóirí saineolaithe réidh chun an réiteach ceart a dhearadh duit féin agus d'iarratas ar leith. .
Criostail leathsheoltóra cumaisc
Is féidir le VeTek Semiconductor bratuithe TaC speisialta a sholáthar do chomhpháirteanna agus d'iompróirí éagsúla. Tríd an bpróiseas brataithe atá ar thús cadhnaíochta sa tionscal VeTek Semiconductor, is féidir leis an sciath TaC ardíonacht, cobhsaíocht ardteochta agus ardfhriotaíocht cheimiceach a fháil, rud a fheabhsóidh cáilíocht táirgí criostail TaC/GaN) agus sraitheanna EPl, agus síneadh a chur le saolré na gcomhpháirteanna imoibreora criticiúla.
Inslitheoirí teirmeacha
Comhpháirteanna fáis criostail SiC, GaN agus AlN lena n-áirítear breogáin, sealbhóirí síolta, sraonairí agus scagairí. Comhthionóil thionsclaíocha lena n-áirítear eilimintí teasa frithsheasmhacha, soic, fáinní sciath agus daingneáin phrásála, comhpháirteanna imoibreora epitaxial CVD GaN agus SiC lena n-áirítear iompróirí sliseog, tráidirí satailíte, cinn cithfholcadh, caipíní agus peadairí, comhpháirteanna MOCVD.
Cuspóir:
● Iompróir Wafer LED (Dé-óid Astaithe Solais).
● Glacadóir ALD(Leathsheoltóra).
● Glacadóir EPI (Próiseas Epitaxy SiC)
Comparáid idir Cumhdach SiC agus Cumhdach TaC:
|
|
SiC
|
TaC
|
|
Príomhghnéithe
|
íonacht ultra-ard, friotaíocht plasma den scoth
|
Cobhsaíocht ardteochta den scoth (comhlíonadh próiseas teocht ard)
|
|
Íonachta
|
>99.9999%
|
>99.9999%
|
|
Dlús (g/cm3)
|
3.21
|
15
|
|
Cruas (kg/mm2)
|
2900-3300
|
6.7-7.2
|
|
Friotaíocht [Ωcm]
|
0.1-15,000
|
<1
|
|
Seoltacht theirmeach (W/m-K)
|
200-360
|
22
|
|
Comhéifeacht leathnú teirmeach (10-6/ ℃)
|
4.5-5
|
6.3
|
|
Iarratas
|
Trealamh Leathsheoltóra Port Ceirmeach (Fáinne Fócais, Ceann Cith, Caochadán Wafer)
|
SiC Fás criostail aonair, Epi, páirteanna Trealamh UV LED
|
