Silicon Carbide Epitaxy

Braitheann ullmhúchán eipidítí cairbíde sileacain ardcháilíochta ar ardteicneolaíocht agus trealamh agus gabhálais trealaimh. Faoi láthair, is é an modh fáis cairbíde sileacain is mó a úsáidtear ná sil -leagan gaile ceimiceach (CVD). Tá na buntáistí a bhaineann le rialú beacht ar thiús scannán eipiciúil agus tiúchan dópála, níos lú lochtanna, ráta measartha fáis, rialú próisis uathoibríoch, etc., agus is teicneolaíocht iontaofa é a cuireadh i bhfeidhm go tráchtála go rathúil.

Is iondúil go nglacann Epitaxy CVD le cairbíd sileacain nó trealamh CVD balla te nó balla te, a chinntíonn go leanfar le ciseal epitaxy 4H crystalline SIC faoi choinníollacha teochta ardfháis (1500 ~ 1700 ℃), balla te nó balla te CVD tar éis blianta forbartha, de réir an ghaolmhaireachta idir an t -aeir aeir agus an dromchla fodhrugaí, is féidir le frithghníomhartha a roinnt isteach i gcriosadh an tsrutha intleachta agus an dromchla fíoróra fíoróra.

Tá trí phríomhtháscaire ann maidir le caighdeán na foirnéise eipiciúil SIC, is é an chéad cheann ná feidhmíocht fáis eipiciúil, lena n -áirítear aonfhoirmeacht tiús, aonfhoirmeacht dópála, ráta lochtanna agus ráta fáis; Is é an dara ceann ná feidhmíocht teochta an trealaimh féin, lena n -áirítear ráta téimh/fuaraithe, uasta teocht, aonfhoirmeacht teochta; Ar deireadh, feidhmíocht costais an trealaimh féin, lena n -áirítear praghas agus acmhainn aonaid amháin.

Trí chineál foirnéise fáis sileacain cairbíde agus difríochtaí croí -gabhálais

Ballaí te Ballaí CVD (Samhail tipiciúil PE1O6 de chuid LPE Company), CVD Pláinéad Pláinéad Balla (Samhail tipiciúil Aixtron G5WWC/G10) agus CVD WALL-HOT HOT (arna léiriú ag Epirevos6 de Nuflare Company) an príomhshruthúlacht trealaimh epitaxial réitigh theicniúla a bhí réadaithe i bhfeidhmiú tráchtála ag an gcéim seo. Tá a saintréithe féin ag na trí fheiste theicniúla freisin agus is féidir iad a roghnú de réir éilimh. Taispeántar a struchtúr mar seo a leanas:

Seo a leanas na croí -chomhpháirteanna comhfhreagracha:

(a) Is éard atá i gcroílár an chineáil chothrománach an chuid is mó de na páirteanna leath-leath-leath-leath

Insliú le sruth

Príomh -Insliú Uachtarach

Leathmoon uachtarach

Insliú in aghaidh srutha

Píosa trasdul 2

Píosa trasdula 1

Nozzle aeir seachtrach

Snorkel barrchaolaithe

Nozzle gáis argón seachtrach

Nozzle gáis argóin

Pláta tacaíochta sliseog

Bioráin lárnaithe

GardaIN

Clúdach cosanta clé le sruth

Clúdach Cosanta Ceart le sruth

Clúdach cosanta clé in aghaidh srutha

Clúdach cosanta ceart in aghaidh srutha

Fo -bhalla

Fáinne graifít

Bhraith Cosanta

Ag tacú le braistint

Bloc teagmhála

Sorcóir asraon gáis

(b) Cineál optional balla te

Diosca Diosca Pláinéadach Sic & Diosca Optional Brataithe TAC

(c) Cineál seasamh balla cuasach teirmeach

Nuflare (an tSeapáin): Cuireann an chuideachta seo foirnéisí ingearacha dé-sheomra ar fáil a chuireann le toradh táirgthe méadaithe. Tá uainíocht ardluais suas le 1000 réabhlóid in aghaidh an nóiméid sa trealamh, rud atá an-tairbheach do aonfhoirmeacht eipiciúil. Ina theannta sin, tá a threo sreafa aeir éagsúil le trealamh eile, agus é ag laghdú go hingearach, rud a laghdaíonn giniúint na gcáithníní agus ag laghdú na dóchúlachta go dtitfidh braoiníní cáithníní ar na sliseoga. Soláthraímid comhpháirteanna graifíte brataithe SIC don trealamh seo.

Mar sholáthraí de chomhpháirteanna trealaimh epitaxial SIC, tá Vetek Semiconductor tiomanta do chomhpháirteanna sciath ardchaighdeáin a sholáthar do chustaiméirí chun tacú le cur i bhfeidhm rathúil SIC Epitaxy.

View as

Sealbhóir Silicon Carbide Sealbhóir Wafer

Déantar innealtóireacht ar shealbhóir sliseog sciath cairbíde sileacain ag Veteksemicon le haghaidh beachtais agus feidhmíochta i bpróisis leathsheoltóra ardleibhéil ar nós MOCVD, LPCVD, agus an t-uafás ardteochta. Le sciath aonfhoirmeach CVD SIC, cinntíonn an sealbhóir sliseog seo seoltacht theirmeach eisceachtúil, támh ceimiceach, agus neart meicniúil-riachtanach do phróiseáil sliseog ard-toraidh saor ó éilliú.

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

CVD SIC SOECTOR WAFER SIC

Is tuaslagán ceannródaíoch é soirneoir brataithe CVD SIC VeteksemiMon do phróisis epitaxial leathsheoltóra, a thairgeann íonacht ard-ard (≤100ppb, ICP-E10 deimhnithe) agus cobhsaíocht theirmeach/cheimiceach eisceachtúil le haghaidh fás neamh-sheasmhach éillithe de GAN, SIC, agus silicon-layers. Cinntíonn sé le teicneolaíocht beachta CVD, tacaíonn sé le sliseoga 6 ”/8”/12 ”, cinntíonn sé an strus teirmeach íosta, agus seasann sé le teochtaí foircneacha suas go 1600 ° C.

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

Fáinne Séalaithe SIC brataithe le haghaidh epitaxy

Is comhpháirt rónta ardfheidhmíochta é ár bhfáinne rónta brataithe SIC le haghaidh epitaxy bunaithe ar chomhábhair graifíte nó carbóin charbóin atá brataithe le cairbíd sileacain ard-íonachta (SIC) ag sil-leagan gaile ceimiceach (CVD), a chomhcheanglaíonn cobhsaíocht theirmeach graifít le trealamh comhshaoil an-chomhshaoil (MOC, MOC agus Dearadh le haghaidh seimiceán.

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

Undertaker Graifít Epi Aonair Epi

VETEKSEMICON AONTAITHE AONTAITHE Tá SUPTORTOR GRAPHITE EPI deartha le haghaidh cairbíd sileacain ardfheidhmíochta (SIC), gallium nítríd (GAN) agus próiseas eipiciúil leathsheoltóra tríú glúin eile, agus is é an croí-chomhpháirt den bhileog eipidíteach ard-phromhaidh i mais-tháirgeadh.

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

Fáinne fócais cvd sic

Tá Vetek Semiconductor ina phríomh-mhonaróir baile agus ina sholáthraí de fháinní fócais CVD SIC, atá tiomanta do réitigh táirgí ardfheidhmíochta, ard-iontaofachta a sholáthar don tionscal leathsheoltóra. Baineann fáinní fócais CVD SIC Vetek Semiconductor úsáid as teicneolaíocht ard -sil -leagan gaile ceimiceach (CVD), friotaíocht ardteochta, friotaíocht creimthe agus seoltacht theirmeach, agus úsáidtear iad go forleathan i bpróisis liteagrafaíochta leathsheoltóra. Cuirtear fáilte i gcónaí roimh do chuid fiosruithe.

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

Comhpháirt uasteorainn aixtron g5+

Tá Vetek Semiconductor anois ina sholáthraí inchaite do go leor trealaimh MOCVD lena chumas próiseála níos fearr. Tá Aixtron G5+ Comhpháirt uasteorainn ar cheann de na táirgí is déanaí atá againn, atá beagnach mar an gcéanna leis an gcomhpháirt bhunaidh Aixtron agus a fuair aiseolas maith ó chustaiméirí. Má theastaíonn táirgí den sórt sin uait, déan teagmháil le do thoil le Vetek Semiconductor!

Féach ar Tuilleadh >> Seol Fiosrúchán >>

Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.

Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.

Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.

Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.

To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.

Mar mhonaróir gairmiúil Silicon Carbide Epitaxy sa tSín, tá ár monarcha féin againn. Cibé an bhfuil seirbhísí saincheaptha de dhíth ort chun freastal ar riachtanais shonracha do réigiúin nó más mian leat dul chun cinn agus durable Silicon Carbide Epitaxy a dhéanamh sa tSín, is féidir leat teachtaireacht a fhágáil linn.

Cód QR

Fúinn

Táirgí

Glaoigh orainn

Fón
+86-18069220752
Facs
+86-579-87223657
R-phost
anny@veteksemi.com
Seoladh
Bóthar Wangda, Sráid Ziyang, Contae Wuyi, Cathair Jinhua, Zhejiang Province, an tSín

Roghchlár Gréasáin

Cuardach Táirge

Teanga

Roghchlár Scoir

Silicon Carbide Epitaxy

Trí chineál foirnéise fáis sileacain cairbíde agus difríochtaí croí -gabhálais

Seo a leanas na croí -chomhpháirteanna comhfhreagracha:

(a) Is éard atá i gcroílár an chineáil chothrománach an chuid is mó de na páirteanna leath-leath-leath-leath

(b) Cineál optional balla te

(c) Cineál seasamh balla cuasach teirmeach

Sealbhóir Silicon Carbide Sealbhóir Wafer

CVD SIC SOECTOR WAFER SIC

Fáinne Séalaithe SIC brataithe le haghaidh epitaxy

Undertaker Graifít Epi Aonair Epi

Fáinne fócais cvd sic

Comhpháirt uasteorainn aixtron g5+

Seol Fiosrúchán

Cód QR

Fúinn

Táirgí

Glaoigh orainn

Fón

Facs

R-phost

Seoladh