Eipiteacs Carbide Sileacain

Braitheann ullmhú epitaxy chomhdhúile sileacain ardchaighdeáin ar theicneolaíocht chun cinn agus trealamh agus gabhálais trealaimh. Faoi láthair, is é an modh fáis epitaxy chomhdhúile sileacain is mó a úsáidtear ná sil-leagan ceimiceach gaile (CVD). Tá na buntáistí a bhaineann le rialú beacht ar thiús scannán epitaxial agus tiúchan dópála, níos lú lochtanna, ráta fáis measartha, rialú próiseas uathoibríoch, etc., agus is teicneolaíocht iontaofa í a cuireadh i bhfeidhm go tráchtála go rathúil.

Glacann epitaxy chomhdhúile sileacain CVD epitaxy go ginearálta le balla te nó balla te trealamh CVD, rud a chinntíonn go leanfar leis an gciseal epitaxy 4H criostalach SiC faoi choinníollacha teocht ardfháis (1500 ~ 1700 ℃), balla te nó balla te CVD tar éis blianta forbartha, de réir an caidreamh idir an treo sreabhadh aeir inlet agus an dromchla tsubstráit, is féidir seomra Imoibrithe a roinnt ina imoibreoir struchtúr cothrománach agus imoibreoir struchtúr ingearach.

Tá trí phríomhtháscairí ann maidir le cáilíocht foirnéise epitaxial SIC, is é an chéad cheann feidhmíocht fáis epitaxial, lena n-áirítear aonfhoirmeacht tiús, aonfhoirmeacht dópála, ráta locht agus ráta fáis; Is é an dara ceann feidhmíocht teocht an trealaimh féin, lena n-áirítear ráta téimh / fuaraithe, teocht uasta, aonfhoirmeacht teochta; Ar deireadh, feidhmíocht costais an trealaimh féin, lena n-áirítear praghas agus cumas aonad aonair.

Trí chineál foirnéise fáis epitaxial chomhdhúile sileacain agus difríochtaí lárnacha gabhálais

Is iad CVD cothrománach balla te (samhail tipiciúil PE1O6 de chuid cuideachta LPE), CVD pláinéadach balla te (samhail tipiciúil Aixtron G5WWC/G10) agus CVD balla te (arna ionadú ag EPIREVOS6 de chuideachta Nuflare) na réitigh theicniúla trealaimh epitaxial príomhshrutha atá bainte amach. in iarratais tráchtála ag an gcéim seo. Tá a saintréithe féin ag na trí fheiste theicniúla freisin agus is féidir iad a roghnú de réir an éilimh. Léirítear a struchtúr mar seo a leanas:

Is iad seo a leanas na croí-chomhpháirteanna comhfhreagracha:

(a) Balla te de chineál croíláir cothrománach - Is éard atá i Halfmoon Parts

Insliú anuas

Príomh-insliú uachtair

An leathmhón uachtarach

Insliú in aghaidh an tsrutha

Trasphíosa 2

Trasphíosa 1

Soic aer seachtrach

Snorkel barrchaolaithe

Buinne gáis argón seachtrach

Buinne gáis Argón

Pláta tacaíochta wafer

Bioráin lárnaithe

Garda lárnach

Clúdach cosanta ar chlé le sruth

Clúdach cosanta ceart le sruth

Clúdach cosanta in aghaidh an tsrutha ar chlé

Clúdach cosanta ceart in aghaidh an tsrutha

Balla taobh

Fáinne graifít

Bhraith cosanta

Tacaíocht bhraith

Bloc teagmhála

Sorcóir asraon gáis

(b)Cineál pláinéadach balla te

Diosca Pláinéadach sciath SiC & Diosca Pláinéadach brataithe le TaC

(c)Cineál seasamh balla quai-teirmeach

Nuflare (An tSeapáin): Cuireann an chuideachta seo foirnéisí ingearacha dé-seomra ar fáil a chuireann le táirgeacht mhéadaithe. Gnéithe an trealamh rothlú ardluais de suas le 1000 réabhlóidí in aghaidh an nóiméid, atá an-tairbheach d'aonfhoirmeacht epitaxial. Ina theannta sin, tá a treo sreafa aeir difriúil ó threalamh eile, toisc go bhfuil sé síos go hingearach, rud a laghdóidh giniúint cáithníní agus laghdaítear an dóchúlacht go dtitfidh braoiníní cáithníní ar na sliseoga. Soláthraímid croí-chomhpháirteanna graifíte brataithe SiC don trealamh seo.

Mar sholáthraí comhpháirteanna trealaimh epitaxial SiC, tá VeTek Semiconductor tiomanta do chomhpháirteanna brataithe ardchaighdeáin a sholáthar do chustaiméirí chun tacú le cur i bhfeidhm rathúil SiC epitaxy.