Nuacht

Úsáidtear bratuithe carbide Tantalum (TAC) go forleathan i réimse an leathsheoltóra, go príomha le haghaidh comhpháirteanna imoibreora fáis eipiciúil, príomh-chomhpháirteanna fáis criostail amháin, comhpháirteanna tionsclaíocha ardteochta, téitheoirí córais MOCVD agus iompróirí sliseog.

Le linn phróiseas fáis epitaxial SiC, d’fhéadfadh teip fionraí graifít brataithe SiC tarlú. Déanann an páipéar seo anailís dhian ar an bhfeiniméan teip ar fhionraí graifít brataithe SiC, a chuimsíonn dhá fhachtóir go príomha: teip gáis epitaxial SiC agus teip sciath SiC.

Pléann an t-alt seo go príomha na buntáistí agus na difríochtaí próisis faoi seach a bhaineann le próiseas Epitaxy Bhíoma Mhóilíneach agus teicneolaíochtaí sil-leagan ceimiceach gaile miotail-orgánach.

Tá go leor airíonna táirge den scoth ag VeTek Semiconductor's Porous Tantalum Carbide, mar ghlúin nua d'ábhar fáis criostail SiC, agus tá ról lárnach aige i dteicneolaíochtaí próiseála leathsheoltóra éagsúla.

Is é prionsabal oibre na foirnéise epitaxial ná ábhair leathsheoltóra a thaisceadh ar fhoshraith faoi theocht ard agus brú ard. Is éard atá i bhfás epitaxial sileacain ná ciseal criostail a fhás leis an treoshuíomh criostail céanna leis an tsubstráit agus tiús éagsúla ar fhoshraith criostail aonair sileacain le treoshuíomh criostail áirithe. Tugann an t-alt seo isteach go príomha na modhanna fáis epitaxial sileacain: epitaxy chéim gal agus epitaxy chéim leachtach.

Úsáidtear sil -leagan gaile ceimiceach (CVD) i ndéantúsaíocht leathsheoltóra chun ábhair scannán tanaí a thaisceadh sa seomra, lena n -áirítear SiO2, Sin, etc., agus áirítear le cineálacha a úsáidtear go coitianta PECVD agus LPCVD. Tríd an gcineál gáis teochta, brú agus imoibriúcháin a choigeartú, baineann CVD íonacht ard, aonfhoirmeacht agus clúdach maith scannán amach chun riachtanais éagsúla próisis a chomhlíonadh.

Déanann an t-alt seo cur síos go príomha ar na hionchais iarratais leathan a bhaineann le criadóireacht chomhdhúile sileacain. Díríonn sé freisin ar anailís a dhéanamh ar na cúiseanna atá le scoilteanna shintéirithe i criadóireacht chomhdhúile sileacain agus na réitigh chomhfhreagracha.

Is minic a bhíonn fadhbanna cosúil le héifeacht luchtaithe, éifeacht micrea-groove agus éifeacht muirir, a théann i bhfeidhm ar cháilíocht na dtáirgí. I measc na dtuaslagán feabhsúcháin tá dlús plasma a bharrfheabhsú, comhdhéanamh gáis imoibriúcháin a choigeartú, éifeachtúlacht an chórais folúis a fheabhsú, leagan amach liteagrafaíochta réasúnta a dhearadh, agus ábhair chuí masc eitseáil agus coinníollacha próisis a roghnú.

Is é sintéiriú te an phríomh-mhodh chun criadóireacht ardfheidhmíochta SIC a ullmhú. Áirítear leis an bpróiseas de shintéiriú te: púdar ard-íonachta SIC a roghnú, brú agus múnlú faoi theocht ard agus brú ard, agus ansin sintéiriú. Tá buntáistí íonachta ard agus dlús ard ag criadóireacht SIC a ullmhaítear leis an modh seo, agus úsáidtear go forleathan iad chun dioscaí agus trealamh cóireála teasa a mheilt le haghaidh próiseála sliseog.

I measc na bpríomh -mhodhanna fáis Silicon Carbide (SIC) tá PVT, TSSG, agus HTCVD, gach ceann acu le buntáistí agus dúshláin ar leith. Feabhsaíonn ábhair allamuigh teirmeacha atá bunaithe ar charbón cosúil le córais inslithe, breogáin, bratuithe TAC, agus graifít phóiriúil fás criostail trí chobhsaíocht, seoltacht theirmeach, agus íonacht a sholáthar, atá riachtanach do mhonarú agus do chur i bhfeidhm beacht SIC.

Tá cruas ard, seoltacht theirmeach agus friotaíocht creimeadh ag SiC, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach do mhonarú leathsheoltóra. Cruthaítear sciath CVD SiC trí thaisceadh gaile ceimiceach, ag soláthar seoltacht ard teirmeach, cobhsaíocht cheimiceach, agus tairiseach laitíse meaitseála d'fhás epitaxial. Cinntíonn a leathnú teirmeach íseal agus cruas ard marthanacht agus cruinneas, rud a fhágann go bhfuil sé riachtanach in iarratais ar nós iompróirí wafer, fáinní réamhthéamh, agus go leor eile. Déanann VeTek Semiconductor speisialtóireacht i bratuithe SiC saincheaptha do riachtanais éagsúla tionscail.

Is ábhar leathsheoltóra ardchruinnithe é Silicon Carbide (SIC) ar a dtugtar a chuid airíonna den scoth mar fhriotaíocht ardteochta, friotaíocht creimthe, agus neart meicniúil ard. Tá os cionn 200 struchtúr criostail ann, agus is é 3C-SiC an t-aon chineál ciúbach, ag tairiscint sféarúlacht nádúrtha agus dlúthú nádúrtha níos fearr i gcomparáid le cineálacha eile. Seasann 3C-SiC amach dá shoghluaisteacht leictreon ard, rud a chiallaíonn go bhfuil sé oiriúnach do MOSFETanna i Leictreonaic Cumhachta. Ina theannta sin, léiríonn sé poitéinseal mór i nanaelectronics, soilse gorma, agus braiteoirí.

Tá Diamond, an ceathrú glúin fhéideartha "leathsheoltóra deiridh," ag fáil aird ar fhoshraitheanna leathsheoltóra mar gheall ar a chruas eisceachtúil, a seoltacht theirmeach, agus a n-airíonna leictreacha. Cé go gcuireann a dhúshláin ardchostais agus táirgthe teorainn lena úsáid, is é CVD an modh is fearr. In ainneoin dúshláin chriostal dopála agus i gceantar mór, tá gealltanas ag Diamond.

Is leathsheoltóirí bandgap leathan iad SIC agus Gan le buntáistí thar sileacain, amhail voltais mhiondealú níos airde, luasanna lasctha níos tapúla, agus éifeachtúlacht níos fearr. Tá SIC níos fearr le haghaidh feidhmchlár ardvoltais, ardchumhachta mar gheall ar a seoltacht theirmeach níos airde, agus sáraíonn Gan i bhfeidhmchláir ardmhinicíochta a bhuíochas dá shoghluaisteacht leictreon níos fearr.

Is modh sciath an -éifeachtach agus a úsáidtear go forleathan é galú an bhíoma leictreon i gcomparáid le téamh friotaíochta, a théitear leis an ábhar galúcháin le léas leictreoin, rud a fhágann go n -éireoidh sé le scannán tanaí a ghalú agus a chomhdhlúthú.