Tús an tionscail

Is minic a bhíonn fadhbanna cosúil le héifeacht luchtaithe, éifeacht micrea-groove agus éifeacht muirir, a théann i bhfeidhm ar cháilíocht na dtáirgí. I measc na dtuaslagán feabhsúcháin tá dlús plasma a bharrfheabhsú, comhdhéanamh gáis imoibriúcháin a choigeartú, éifeachtúlacht an chórais folúis a fheabhsú, leagan amach liteagrafaíochta réasúnta a dhearadh, agus ábhair chuí masc eitseáil agus coinníollacha próisis a roghnú.

Is é sintéiriú te an phríomh-mhodh chun criadóireacht ardfheidhmíochta SIC a ullmhú. Áirítear leis an bpróiseas de shintéiriú te: púdar ard-íonachta SIC a roghnú, brú agus múnlú faoi theocht ard agus brú ard, agus ansin sintéiriú. Tá buntáistí íonachta ard agus dlús ard ag criadóireacht SIC a ullmhaítear leis an modh seo, agus úsáidtear go forleathan iad chun dioscaí agus trealamh cóireála teasa a mheilt le haghaidh próiseála sliseog.

I measc na bpríomh -mhodhanna fáis Silicon Carbide (SIC) tá PVT, TSSG, agus HTCVD, gach ceann acu le buntáistí agus dúshláin ar leith. Feabhsaíonn ábhair allamuigh teirmeacha atá bunaithe ar charbón cosúil le córais inslithe, breogáin, bratuithe TAC, agus graifít phóiriúil fás criostail trí chobhsaíocht, seoltacht theirmeach, agus íonacht a sholáthar, atá riachtanach do mhonarú agus do chur i bhfeidhm beacht SIC.

Tá cruas ard, seoltacht theirmeach agus friotaíocht creimeadh ag SiC, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach do mhonarú leathsheoltóra. Cruthaítear sciath CVD SiC trí thaisceadh gaile ceimiceach, ag soláthar seoltacht ard teirmeach, cobhsaíocht cheimiceach, agus tairiseach laitíse meaitseála d'fhás epitaxial. Cinntíonn a leathnú teirmeach íseal agus cruas ard marthanacht agus cruinneas, rud a fhágann go bhfuil sé riachtanach in iarratais ar nós iompróirí wafer, fáinní réamhthéamh, agus go leor eile. Déanann VeTek Semiconductor speisialtóireacht i bratuithe SiC saincheaptha do riachtanais éagsúla tionscail.

Is ábhar leathsheoltóra ardchruinnithe é Silicon Carbide (SIC) ar a dtugtar a chuid airíonna den scoth mar fhriotaíocht ardteochta, friotaíocht creimthe, agus neart meicniúil ard. Tá os cionn 200 struchtúr criostail ann, agus is é 3C-SiC an t-aon chineál ciúbach, ag tairiscint sféarúlacht nádúrtha agus dlúthú nádúrtha níos fearr i gcomparáid le cineálacha eile. Seasann 3C-SiC amach dá shoghluaisteacht leictreon ard, rud a chiallaíonn go bhfuil sé oiriúnach do MOSFETanna i Leictreonaic Cumhachta. Ina theannta sin, léiríonn sé poitéinseal mór i nanaelectronics, soilse gorma, agus braiteoirí.

Tá Diamond, an ceathrú glúin fhéideartha "leathsheoltóra deiridh," ag fáil aird ar fhoshraitheanna leathsheoltóra mar gheall ar a chruas eisceachtúil, a seoltacht theirmeach, agus a n-airíonna leictreacha. Cé go gcuireann a dhúshláin ardchostais agus táirgthe teorainn lena úsáid, is é CVD an modh is fearr. In ainneoin dúshláin chriostal dopála agus i gceantar mór, tá gealltanas ag Diamond.

Is leathsheoltóirí bandgap leathan iad SIC agus Gan le buntáistí thar sileacain, amhail voltais mhiondealú níos airde, luasanna lasctha níos tapúla, agus éifeachtúlacht níos fearr. Tá SIC níos fearr le haghaidh feidhmchlár ardvoltais, ardchumhachta mar gheall ar a seoltacht theirmeach níos airde, agus sáraíonn Gan i bhfeidhmchláir ardmhinicíochta a bhuíochas dá shoghluaisteacht leictreon níos fearr.

Is modh sciath an -éifeachtach agus a úsáidtear go forleathan é galú an bhíoma leictreon i gcomparáid le téamh friotaíochta, a théitear leis an ábhar galúcháin le léas leictreoin, rud a fhágann go n -éireoidh sé le scannán tanaí a ghalú agus a chomhdhlúthú.

Cuimsíonn sciath i bhfolús vaporization ábhar scannáin, iompar i bhfolús agus fás scannán tanaí. De réir na modhanna éagsúla vaporization ábhair scannáin agus próisis iompair, is féidir sciath i bhfolús a roinnt ina dhá chatagóir: PVD agus CVD.

Déanann an t-alt seo cur síos ar pharaiméadair fhisiceacha agus ar shaintréithe táirge VeTek Semiconductor's Porous Graphite, chomh maith lena fheidhmchláir shonracha i bpróiseáil leathsheoltóra.

Déanann an t -alt seo anailís ar thréithe an táirge agus ar chásanna feidhmithe sciath carbide tantalum agus sciath cairbíde sileacain ó pheirspictíochtaí éagsúla.

Tá sil -leagan scannán tanaí ríthábhachtach i ndéantúsaíocht sliseanna, ag cruthú micrea -fheistí trí scannáin a thaisceadh faoi 1 micron tiubh trí CVD, ALD, nó PVD. Tógann na próisis seo comhpháirteanna leathsheoltóra trí scannáin sheolta agus inslithe ailtéarnacha.

Is éard atá i gceist leis an bpróiseas monaraithe leathsheoltóra ná ocht gcéim: próiseáil sliseog, ocsaídiú, liteagrafaíocht, eitseáil, sil -leagan scannán tanaí, idirnasc, tástáil, agus pacáistiú. Déantar sileacain ó ghaineamh a phróiseáil i sliseoga, ocsaídithe, patrún, agus eitseáilte le haghaidh ciorcaid ardchruinnithe.

Déanann an t -alt seo cur síos ar an tsubstráit faoi stiúir an cur i bhfeidhm is mó de sapphire, chomh maith leis na príomh -mhodhanna chun criostail sapphire a ullmhú: criostail sapphire ag fás ag an modh Czochralski, ag fás criostail sapphire ag an modh Kyropoulos, ag fás na gcriostal sapphire ag an modh malairte treoraithe, agus ag fás saphire saphire ag an modh malairte.

Míníonn an t-alt an grádán teochta i bhfoirnéis aon chriostal. Clúdaíonn sé na réimsí teasa statacha agus dinimiciúla le linn fás criostail, an comhéadan soladach-leacht, agus ról an ghrádáin teochta i gclaonadh.

Téann an próiseas Taiko i gcion ar sliseoga sileacain ag baint úsáide as a phrionsabail, a bhuntáistí teicniúla agus a bhunús próisis.