Tús an tionscail

Baineann fás PVT chomhdhúile sileacain (SiC) le timthriall teirmeach mór (teocht an tseomra os cionn 2200 ℃). Is é an strus ollmhór teirmeach a ghintear idir an sciath agus an tsubstráit graifíte mar gheall ar an neamhréir i gcomhéifeachtaí leathnaithe teirmeach (CTE) an príomhdhúshlán a chinneann saolré an bhrataithe agus iontaofacht iarratais.

Sa phróiseas fáis criostail PVT chomhdhúile sileacain (SiC), socraíonn cobhsaíocht agus aonfhoirmeacht an réimse teirmeach go díreach an ráta fáis criostail, dlús lochtanna agus aonfhoirmeacht ábhair. Mar theorainn an chórais, taispeánann comhpháirteanna teirmeach-réimse airíonna teirmeachfhisiceacha dromchla a bhfuil a luaineachtaí beaga méadaithe go mór faoi choinníollacha ardteochta, rud a fhágann go dtiocfaidh éagobhsaíocht ar an gcomhéadan fáis ar deireadh.

Agus criostail chomhdhúile sileacain (SiC) á bhfás tríd an modh Iompar Gaile Fisiciúil (PVT), is “claíomh dúbailte-imeall” í an mhórtheocht ard 2000–2500 °C – cé go dtiomáineann sé sublimation agus iompar bunábhar, cuireann sé go mór le scaoileadh eisíontais ó gach ábhar laistigh den chóras réimse teirmeach, go háirithe comhpháirteanna riandúile. Chomh luath agus a théann na neamhíonachtaí seo isteach sa chomhéadan fáis, déanfaidh siad damáiste díreach do chroí-chaighdeán an chriostail. Is é seo an chúis bhunúsach a bhfuil bratuithe chomhdhúile tantalam (TaC) tar éis éirí mar “rogha éigeantach” seachas mar “rogha roghnach” maidir le fás criostail PVT.