Tús an tionscail

Leis an téama “conas fás criostail ardchaighdeáin a bhaint amach? - Foirnéis fáis criostail SIC”, déanann an blag seo anailís mhionsonraithe ó cheithre thoise: bunphrionsabal na foirnéise fáis silicon cairbíd, struchtúr na foirnéise silicon cairbíde silicon, foirnéisí silicon crystal silicon carbide.

Na ceithre mhonaróir graifíte is cumhachtaí ar fud an domhain: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen agus a gceantair ghraifítí agus feidhmithe comhfhreagracha comhfhreagracha.

Déanann an t -alt cur síos ar na hairíonna fisiceacha den scoth a bhaineann le braistint charbóin, na cúiseanna sonracha le sciath SIC a roghnú, agus an modh agus an prionsabal a bhaineann le sciath SIC ar charbón. Déanann sé anailís shonrach freisin ar úsáid D8 roimh ré diffractometer X-ghathaithe (XRD) chun anailís a dhéanamh ar chomhdhéanamh céim charbóin sciath SIC.

Is iad na príomh -mhodhanna chun criostail aonair SIC a fhás ná: iompar gaile fisiciúil (PVT), sil -leagan gaile ceimiceach ardteochta (HTCVD) agus fás tuaslagáin ardteochta (HTSG).