Nuacht

Is próiseas é sciath CVD TAC chun sciath dlúth agus durable a chruthú ar fhoshraith (graifít). Is éard atá i gceist leis an modh seo ná TAC a thaisceadh ar dhromchla an tsubstráit ag teochtaí arda, agus mar thoradh air sin tá sciath cairbíde tantalum (TAC) le cobhsaíocht theirmeach den scoth agus friotaíocht cheimiceach.

De réir mar a aibíonn an próiseas chomhdhúile sileacain 8-orlach (SiC), tá na monaróirí ag luasghéarú an aistrithe ó 6-orlach go 8-orlach. Le déanaí, d'fhógair ON Semiconductor agus Resonac nuashonruithe ar tháirgeadh SiC 8-orlach.

Tugann an t-alt seo isteach na forbairtí is déanaí in imoibreoir CVD balla te PE1O8 nua-dheartha na cuideachta Iodálach LPE agus a chumas epitaxy aonfhoirmeach 4H-SiC a dhéanamh ar 200mm SiC.

Leis an éileamh méadaitheach ar ábhair SIC i leictreonaic chumhachta, optoelectronics agus réimsí eile, beidh forbairt na teicneolaíochta fáis criostail aonair mar phríomhréimse nuálaíochta eolaíochta agus teicneolaíochta. Mar chroílár an trealaimh fáis criostail aonair SIC, leanfaidh dearadh allamuigh teirmeach ar aghaidh ag fáil aird fhorleathan agus taighde domhain.

Trí dhul chun cinn leanúnach teicneolaíochta agus taighde meicníochta domhain, táthar ag súil go mbeidh ról níos tábhachtaí ag teicneolaíocht heteroepitaxial 3C-SiC sa tionscal leathsheoltóra agus go gcuirfear chun cinn forbairt feistí leictreonacha ard-éifeachtúlachta.

Spásúil ALD, sil-leagan ciseal adamhach scoite ó thaobh spáis. Gluaiseann an wafer idir seasaimh éagsúla agus nochtar do réamhtheachtaithe éagsúla ag gach suíomh. Is comparáid é an figiúr thíos idir ALD traidisiúnta agus ALD atá scoite ó thaobh spáis de.

Le déanaí, tá dul chun cinn déanta ag Institiúid Taighde na Gearmáine Fraunhofer IISB i dtaighde agus i bhforbairt teicneolaíocht sciath carbide tantalum, agus d'fhorbair sé réiteach sciath spraeála atá níos solúbtha agus níos neamhdhíobhálaí don chomhshaol ná an réiteach sil -leagain CVD, agus tá sé tráchtálaithe.

I ré na forbartha teicneolaíochta tapa, tá priontáil 3D, mar ionadaí tábhachtach ar theicneolaíocht déantúsaíochta chun cinn, ag athrú de réir a chéile ar aghaidh na déantúsaíochta traidisiúnta. Le haibíocht leanúnach na teicneolaíochta agus laghdú ar chostais, léirigh teicneolaíocht priontála 3D ionchais iarratais leathan i go leor réimsí mar aeraspáis, déantúsaíocht gluaisteán, trealamh leighis, agus dearadh ailtireachta, agus chuir sé nuálaíocht agus forbairt na dtionscal seo chun cinn.

Ní féidir le hábhair chriostail aonair ina n-aonar freastal ar na riachtanais a bhaineann le táirgeadh méadaithe feistí leathsheoltóra éagsúla. Ag deireadh na bliana 1959, forbraíodh sraith tanaí de theicneolaíocht fáis ábhar criostail aonair - fás epitaxial.

Tá Silicon Carbide ar cheann de na hábhair idéalach chun feistí ardteochta, ardmhinicíochta, ardchumhachta agus ardvoltais a dhéanamh. D'fhonn éifeachtúlacht táirgthe a fheabhsú agus costais a laghdú, is treo forbartha tábhachtach é ullmhú foshraitheanna cairbíde sileacain ar mhéid mór.

De réir Nuacht Thar Lear, a nochtadh ar an 24 Meitheamh go bhfuil Bytance ag obair le US Design Company Company Broadcom chun próiseálaí ríomhaireachta Ard-Faisnéise Saorga (AI) a fhorbairt, rud a chabhróidh le hintinn a chinntiú go mbeidh soláthar leordhóthanach sliseanna ard-deireadh i measc teannas idir an tSín agus na Stáit Aontaithe.

Mar phríomh -mhonaróir i dtionscal na SIC, tá aird fhorleathan tugtha ag dinimic ghaolmhar Sanan Optoelectronics sa tionscal. Le déanaí, nocht Sanan optoelectronics sraith d'fhorbairtí is déanaí, ina raibh claochlú 8 n-orlach, táirgeadh monarchan foshraithe nua, bunú cuideachtaí nua, fóirdheontais rialtais agus gnéithe eile.

I bhfás criostail aonair SIC agus ALN ag baint úsáide as an modh iompair gaile fhisiciúil (PVT), tá ról ríthábhachtach ag comhpháirteanna ríthábhachtacha amhail an Crucible, an sealbhóir síl, agus an fáinne treorach. Mar a léirítear i bhFigiúr 2 [1], le linn an phróisis PVT, tá an criostail síl suite sa réigiún teochta íochtarach, agus tá an t -amhábhar SIC nochta do theochtaí níos airde (os cionn 2400 ℃).

Tá go leor lochtanna ag foshraitheanna cairbíde sileacain agus ní féidir iad a phróiseáil go díreach. Ní mór scannán tanaí criostail aonair a fhás orthu trí phróiseas eipiciúil chun sliseoga sliseanna a dhéanamh. Is é an scannán tanaí seo an ciseal eipiciúil. Baintear amach beagnach gach feiste cairbíde sileacain ar ábhair eipideacha. Is iad na hábhair aonchineálacha aonchineálacha sileacain sileacain an bunús le haghaidh forbairt feistí cairbíde sileacain. Cinneann feidhmíocht na n -ábhar epitaxial go díreach réadú feidhmíocht na bhfeistí cairbíde sileacain.

Tá Silicon Carbide ag athmhúnlú an tionscail leathsheoltóra le haghaidh feidhmchlár cumhachta agus ardteochta, lena n-airíonna cuimsitheacha, ó fhoshraitheanna epitaxial go bratuithe cosanta chuig feithiclí leictreacha agus córais fuinnimh in-athnuaite.

Ard-íonacht: Tá íonacht an-ard ag an gciseal epitaxial sileacain a fhástar trí thaisceadh gaile ceimiceach (CVD), tá maoile dromchla níos fearr agus dlús lochtanna níos ísle ná na sliseoga traidisiúnta.