Bealaí teicniúla éagsúla de Foirnéis Fáis Epitaxial SIC

Tá go leor lochtanna ag foshraitheanna cairbíde sileacain agus ní féidir iad a phróiseáil go díreach. Ní mór scannán tanaí criostail aonair a fhás orthu trí phróiseas eipiciúil chun sliseoga sliseanna a dhéanamh. Is é an scannán tanaí seo an ciseal eipiciúil. Baintear amach beagnach gach feiste cairbíde sileacain ar ábhair eipideacha. Is iad na hábhair aonchineálacha aonchineálacha sileacain sileacain an bunús le haghaidh forbairt feistí cairbíde sileacain. Cinneann feidhmíocht na n -ábhar epitaxial go díreach réadú feidhmíocht na bhfeistí cairbíde sileacain.

Chuir feistí cairbíde sileacain ard-reatha agus ard-in-in-in-inslithe ceanglais níos déine ar an moirfeolaíocht dromchla, dlús fabht, dópáil agus aonfhoirmeacht tiús na n-ábhar eipiciúil. Dlús mórmhéide, ísealchosanta agus ard-aonfhoirmeachtSilicon Carbide EpitaxyTá sé anois mar eochair do fhorbairt thionscal na gcarbán sileacain.

Ullmhú ardcháilíochtaSilicon Carbide EpitaxyÉilíonn sé próisis agus trealamh ardleibhéil. Is é an modh fáis epitaxial sileacain is mó a úsáidtear go forleathan ná sil -leagan gaile ceimiceach (CVD), a bhfuil na buntáistí a bhaineann le rialú beacht a dhéanamh ar thiús scannán eipiciúil agus tiúchan dópála, níos lú lochtanna, ráta fáis measartha, agus rialú próisis uathoibríoch. Is teicneolaíocht iontaofa í a ndearnadh tráchtálú rathúil uirthi.

Silicon Carbide CVD Is iondúil go n-úsáideann EPITAXY trealamh cvd balla te nó balla te, a chinntíonn go leanfar leis an gciseal eipiciúil 4H criostail sic faoi choinníollacha teochta fáis níos airde (1500-1700 ℃). Tar éis blianta forbartha, is féidir balla te nó balla te CVD a roinnt ina n -imoibreoirí struchtúir cothrománacha cothrománach agus ina n -imoibreoirí ingearacha ingearacha de réir an chaidrimh idir treo an tsreafa gáis ionraoin agus an dromchla foshraithe.

Tá trí tháscaire den chuid is mó ag caighdeán na foirnéise cairbíde sileacain. Is é an chéad cheann an fheidhmíocht fáis eipiciúil, lena n -áirítear aonfhoirmeacht tiús, aonfhoirmeacht dópála, ráta lochtanna agus ráta fáis; Is é an dara ceann ná feidhmíocht teochta an trealaimh féin, lena n -áirítear ráta téimh/fuaraithe, uasta teocht, aonfhoirmeacht teochta; agus ar deireadh feidhmíocht costais an trealaimh féin, lena n -áirítear praghas aonaid agus cumas táirgthe.

Difríochtaí idir trí chineál foirnéisí fáis epitaxial cairbíde sileacain

Is iad CVD cothrománach an bhalla te, CVD pláinéadach balla te agus balla gar-te-ingearach CVD na réitigh teicneolaíochta príomhshrutha trealaimh epitaxial a cuireadh i bhfeidhm ar bhonn tráchtála ag an bpointe seo. Tá a saintréithe féin ag na trí threalamh teicniúil freisin agus is féidir iad a roghnú de réir riachtanais. Taispeántar an léaráid struchtúir san fhigiúr thíos:

De ghnáth, is córas fáis aon-mhéid mór é an córas CVD cothrománach CVD, atá tiomáinte ag snámh aeir agus uainíochta. Tá sé éasca táscairí maithe a bhaint amach. Is é an tsamhail ionadaíoch PE1O6 de LPE Company san Iodáil. Is féidir leis an meaisín seo luchtú uathoibríoch agus díluchtú sliseoga a bhaint amach ag 900 ℃. Is iad na príomhghnéithe ná ráta ardfháis, timthriall gearrthréimhseach, comhsheasmhacht mhaith laistigh den sliseog agus idir foirnéisí, etc. Tá an sciar is airde sa mhargadh aige sa tSín.

According to LPE official reports, combined with the usage of major users, the 100-150mm (4-6 inches) 4H-SiC epitaxial wafer products with a thickness of less than 30μm produced by the Pe1O6 epitaxial furnace can stably achieve the following indicators: intra-wafer epitaxial thickness non-uniformity ≤2%, intra-wafer doping concentration non-uniformity ≤5%, Dlús fabht dromchla ≤1cm-2, achar saor ó lochtanna (cill aonaid 2mm × 2mm) ≥90%.

D'fhorbair cuideachtaí intíre ar nós JSG, CETC 48, Naura, agus Naso trealamh eipiciúil cairbíde monolithic le feidhmeanna comhchosúla agus tá lastais ar scála mór bainte amach acu. Mar shampla, i mí Feabhra 2023, d'eisigh JSG trealamh epitaxial 6-orlach dúbailte SIC. Úsáideann an trealamh na sraitheanna uachtaracha agus íochtaracha de na sraitheanna uachtaracha agus íochtaracha de na codanna graifíte den seomra imoibriúcháin chun dhá shliocht eipiciúil a fhás i bhfoirnéis amháin, agus is féidir na gáis phróisis uachtaracha agus íochtaracha a rialáil ar leithligh, le difríocht teochta ≤5 ° C, rud a dhéanann an t -ábhar míbhuntáiste a bhaineann le cuid de na hintleachtaí a bhaineann le hintleachtacht neamhdhóthanach de thrasnú monolithic.Codanna Leath -Leath -Chraotaithe SIC. Táimid ag soláthar páirteanna 6 orlach agus 8 orlach leath -orlach do na húsáideoirí.

Is é an tréith atá ag an gcóras CVD optional te, le socrú optional den bhonn, ná fás il-sliseoga i bhfoirnéis amháin agus éifeachtúlacht aschuir ard. Is iad na samhlacha ionadaíocha an trealamh epitaxial Aixg5wwc (8x150mm) agus G10-SiC (9 × 150mm nó 6 × 200mm) de Aixtron na Gearmáine.

According to Aixtron's official report, the 6-inch 4H-SiC epitaxial wafer products with a thickness of 10μm produced by the G10 epitaxial furnace can stably achieve the following indicators: inter-wafer epitaxial thickness deviation of ±2.5%, intra-wafer epitaxial thickness non-uniformity of 2%, inter-wafer doping concentration deviation of ±5%, intra-wafer Tiúchan dópála neamh-aonfhoirmeacht <2%.

Go dtí seo, is annamh a úsáideann úsáideoirí baile an cineál seo samhail, agus ní leor na sonraí táirgthe baisce, rud a chuireann srian ar a iarratas innealtóireachta go pointe áirithe. Ina theannta sin, mar gheall ar na bacainní teicniúla arda a bhaineann le foirnéisí eipidíteacha il-wafer i dtéarmaí rialú allamuigh agus rialú allamuigh, tá forbairt trealaimh intíre den chineál céanna fós sa chéim taighde agus forbartha, agus níl aon mhúnla malartach ann.

Rothlaíonn an córas quasi-te-bhalla ingearach CVD go príomha ag luas ard trí chúnamh meicniúil seachtrach. Is é an tréith atá aige ná go laghdaítear tiús an chiseal slaodach go héifeachtach trí bhrú seomra imoibriúcháin níos ísle, rud a mhéadaíonn an ráta fáis eipiciúil. Ag an am céanna, níl balla uachtarach ag a sheomra imoibriúcháin ar féidir cáithníní SIC a thaisceadh, agus níl sé éasca rudaí atá ag titim a tháirgeadh. Tá buntáiste bunúsach aige i rialú lochtanna. Is iad na samhlacha ionadaíocha na foirnéisí epitaxial aon-wafer epirevos6 agus epirevos8 de nuflare na Seapáine.

De réir Nuflare, is féidir le ráta fáis an fheiste epirevos6 níos mó ná 50μm/h a bhaint amach, agus is féidir dlús fabht an dromchla an sliseog epitaxial a rialú faoi bhun 0.1cm-²; Maidir le rialú aonfhoirmeachta, thuairiscigh an t-innealtóir Nuflare Yoshiaki Daigo na torthaí aonfhoirmeachta laistigh de WAFER de shliocht eipiciúil 6-orlach tiubh 10 μm a fhástar ag baint úsáide as epirevos6, agus an tiús idir-wafer agus an tiúchan dópála neamh-aonfhoirmeacht a shroicheann 1% agus 2.6% faoi seach.Sorcóir graifít uachtarach.

Faoi láthair, tá trealamh eipiciúil deartha agus seolta ag monaróirí trealaimh intíre ar nós Core Third Generation agus JSG le feidhmeanna comhchosúla, ach níor úsáideadh iad ar scála mór.

Go ginearálta, tá a saintréithe féin ag na trí chineál trealaimh agus tá sciar áirithe den mhargadh i riachtanais éagsúla feidhmithe:

Tá ráta fáis, cáilíocht agus aonfhoirmeacht, ardchaighdeán agus aonfhoirmeacht, oibriú simplí trealaimh agus cothabháil trealaimh, agus feidhmchláir táirgthe ar scála mór ar scála mór i struchtúr cothrománach CVD an bhalla te. Mar sin féin, mar gheall ar an gcineál aonair agus an chothabháil go minic, tá an éifeachtúlacht táirgthe íseal; Is iondúil go nglacann CVD an bhalla te CVD 6 (píosa) × 100 mm (4 orlach) nó 8 (píosa) × 150 mm (6 orlach) struchtúr tráidire, a fheabhsaíonn éifeachtúlacht táirgthe an trealaimh go mór i dtéarmaí cumais táirgthe, ach tá sé deacair comhsheasmhacht na bpíosaí iolracha a rialú, agus is é an toradh táirgthe an fhadhb is mó fós; Tá struchtúr casta ag CVD ingearach an bhalla quasi-te, agus tá an rialú fabht cáilíochta ar tháirgeadh an tsleachta eipiciúil ar fheabhas, rud a éilíonn cothabháil agus úsáid trealaimh thar a bheith saibhir.

Le forbairt leanúnach an tionscail, déanfar na trí chineál trealaimh seo a uasmhéadú agus a uasghrádú i dtéarmaí struchtúir, agus beidh an chumraíocht trealaimh níos foirfe, agus beidh ról tábhachtach aige maidir le sonraíochtaí sliseoga epitaxial a mheaitseáil le tiús agus riachtanais lochtanna éagsúla.