Cén fáth a dtugtar CO₂ isteach le linn an Phróisis Tosaithe Wafer?

CO₂ a thabhairt isteach san uisce dicing le linnsliseogIs beart próisis éifeachtach é gearradh chun tógáil muirear statach a chosc agus riosca éillithe a laghdú, rud a fheabhsóidh toradh dísle agus iontaofacht fhadtéarmach sliseanna.

1. Tógáil Muirear Statach a Shochtadh

I rithdicingsliseog, oibríonn lann diamanta rothlach ardluais le chéile le scairdeanna uisce dí-ianaithe ardbhrú (DI) chun gearradh, fuarú agus glanadh a dhéanamh. Gineann frithchuimilt dhian idir an lann agus an wafer líon mór muirear statach; ag an am céanna, déantar ianú beag ar uisce DI faoi spraeáil agus tionchar ardluais, rud a tháirgeann líon beag ian. Ós rud é go bhfuil claonadh ag sileacain féin muirear a charnadh, mura ndéantar an muirear seo a urscaoileadh in am, féadfaidh an voltas ardú go 500 V nó níos mó agus scaoileadh leictreastatach (ESD) a spreagadh.

Ní hamháin go bhféadfadh ESD idirnasc miotail a bhriseadh síos nó damáiste a dhéanamh do thréleictreach idirchiseal, ach freisin go gcuirfidh deannaigh sileacain cloí leis an dromchla wafer trí mhealladh leictreastatach, rud a fhágann go bhfuil lochtanna cáithníní ann. I gcásanna níos déine, féadann sé a bheith ina chúis le saincheisteanna ceap bannaí cosúil le nascáil sreinge lag nó ardú bannaí.

Nuair a thuaslagann dé-ocsaíd charbóin (CO₂) in uisce, foirmíonn sé aigéad carbónach (H₂CO₃), a dhíscaoileann tuilleadh ina hiain hidrigine (H⁺) agus iain dhécharbónáite (HCO₃⁻). Méadaíonn sé seo go suntasach seoltacht an uisce dísle agus laghdaítear a fhriotaíocht. Ceadaíonn an seoltacht níos airde muirear statach a sheoladh go tapa ar shiúl tríd an sreabhadh uisce go talamh, rud a fhágann go bhfuil sé deacair don lucht carnadh ar dhromchlaí sliseog nó trealaimh.

Ina theannta sin, is gás lag leictridhiúltach é CO₂. I dtimpeallacht ardfhuinnimh, is féidir é a ianú chun speicis luchtaithe a fhoirmiú mar CO₂⁺ agus O⁻. Is féidir leis na hiain seo an muirear a neodrú ar an dromchla sliseog agus ar cháithníní aerbheirthe, rud a laghdóidh an baol a bhaineann le tarraingt leictreastatach agus teagmhais ESD.

2. Éilliú a Laghdú agus an Dromchla Wafer a Chosaint

Gineann dicing wafer méid mór deannaigh sileacain. Éiríonn na cáithníní míne seo luchtaithe go héasca agus cloíonn siad le dromchlaí sliseog nó trealaimh, rud is cúis le héilliú cáithníní. Má tá an t-uisce fuaraithe beagán alcaileach, féadann sé iain miotail a chur chun cinn freisin (cosúil le Fe, Ni, agus Cr a scaoiltear ó scagairí nó píobáin déanta as cruach dhosmálta) chun deascáin hiodrocsaíd miotail a fhoirmiú. D'fhéadfadh na deascáin seo sil-leagan ar an dromchla sliseog nó laistigh de na sráideanna dísle, rud a chuirfeadh isteach ar cháilíocht na sceallóga.

Tar éis CO₂ a thabhairt isteach, ar thaobh amháin, lagaíonn neodrú muirir an mhealladh leictreastatach idir an deannach agus an dromchla wafer; ar an láimh eile, cabhraíonn an sreabhadh gáis CO₂ le cáithníní a scaipeadh ar shiúl ón gcrios dicing, rud a laghdóidh an seans go ndéanfar ath-thaisceadh i réimsí ríthábhachtacha.

Cuireann an timpeallacht lag aigéadach atá déanta ag CO₂ tuaslagtha faoi chois freisin tiontú na n-ian miotail go deascáin hiodrocsaíde, rud a choinníonn miotail i riocht tuaslagtha ionas gur fusa iad a iompar ar shiúl ag an sreabhadh uisce, rud a laghdaíonn iarmhair ar an sliseog agus ar an trealamh.

Ag an am céanna, tá CO₂ támh. Trí atmaisféar cosanta áirithe a fhoirmiú sa réigiún dicing, is féidir leis an teagmháil dhíreach idir deannach sileacain agus ocsaigine a laghdú, ag laghdú an baol ocsaídiúcháin deannaigh, ceirtleánaithe, agus greamaitheacht dromchla ina dhiaidh sin. Cuidíonn sé seo le timpeallacht ghearradh níos glaine agus coinníollacha próisis níos cobhsaí a chothabháil.

Ní hamháin go rialaítear riosca statach agus ESD go héifeachtach trí CO₂ a thabhairt isteach san uisce dicing le linn gearrtha sliseog, ach freisin laghdaítear éilliú deannaigh agus miotail go suntasach, rud a fhágann gur bealach tábhachtach é chun toradh dísle agus iontaofacht sliseanna a fheabhsú.