Cén fáth a bhfuil SIC ina phríomhábhar lárnach d'fhás SIC epitaxial?

I dtrealamh CVD, ní féidir an tsubstráit a chur go díreach ar an miotal nó ar bhonn le haghaidh sil -leagain eipiciúil, toisc go mbaineann sé le tosca éagsúla amhail treo sreafa gáis (cothrománach, ingearach), teocht, brú, socrú, agus truailleáin atá ag titim. Dá bhrí sin, tá gá le bonn, agus ansin cuirtear an tsubstráit ar an diosca, agus ansin déantar sil -leagan eipiciúil ar an tsubstráit ag baint úsáide as teicneolaíocht CVD. Is é an bonn seo anBonn graifít brataithe sic.

Mar chroí -chomhpháirt, tá neart agus modulus ard -sonrach ag an mbonn graifíte, friotaíocht turraing teirmeach maith agus friotaíocht creimthe, ach le linn an phróisis táirgthe, déanfar an graifít a chreimeadh agus a phúdrú mar gheall ar an ngás creimneach iarmharach agus an t -ábhar orgánach miotail, agus laghdófar go mór saol seirbhíse an bhoinn ghraifít. Ag an am céanna, cuirfidh an púdar graifíte tite éilliú ar an tslis. I bpróiseas táirgthe naSilicon Carbide Epitaxial Swafers, tá sé deacair freastal ar riachtanais úsáide daoine atá ag éirí níos déine le haghaidh ábhar graifít, a chuireann srian dáiríre ar a fhorbairt agus a chur i bhfeidhm praiticiúil. Dá bhrí sin, thosaigh teicneolaíocht sciath ag ardú.

Buntáistí a bhaineann le sciath sic sa tionscal leathsheoltóra

Tá riachtanais dhiana ag airíonna fisiceacha agus ceimiceacha an sciath maidir le friotaíocht ardteochta agus friotaíocht creimthe, a théann i bhfeidhm go díreach ar thoradh agus ar shaol an táirge. Tá neart ard, cruas ard, comhéifeacht leathnaithe teirmeach íseal agus seoltacht mhaith teirmeach ag ábhar SIC. Is ábhar struchtúrach ardteochta tábhachtach é agus ábhar leathsheoltacha ardteochta. Cuirtear i bhfeidhm é ar bhonn graifít. Is iad na buntáistí atá aige ná:

1) Tá SIC frithsheasmhach in aghaidh creimthe agus is féidir leis an mbonn graifít a chur go hiomlán. Tá dlús maith aige agus seachnaíonn sé damáiste trí ghás creimneach.

2) Tá seoltacht ard teirmeach agus neart ard-nasctha ag SIC leis an mbonn graifít, ag cinntiú nach bhfuil an sciath éasca titim amach tar éis timthriallta iolracha ardteochta agus teocht íseal.

3) Tá cobhsaíocht cheimiceach maith ag SIC chun teip an sciath a sheachaint in atmaisféar ardteochta agus creimneach.

Airíonna fisiceacha bunúsacha sciath SIC CVD

Ina theannta sin, teastaíonn tráidirí graifíte le táscairí éagsúla feidhmíochta ó fhoirnéisí eipideacha d'ábhair éagsúla. Éilíonn meaitseáil chomhéifeacht leathnaithe teirmeach na n -ábhar graifíte oiriúnú ar theocht fáis na foirnéise eipiciúil. Mar shampla, teochtSilicon Carbide Epitaxytá sé ard, agus tá gá le tráidire le meaitseáil comhéifeacht leathnaithe teirmeach ard. Tá an chomhéifeacht leathnaithe teirmeach de SIC an -ghar do ghraifít, rud a chiallaíonn go bhfuil sé oiriúnach mar an t -ábhar is fearr le haghaidh sciath dromchla an bhoinn graifíte.

Tá foirmeacha criostail éagsúla ag ábhair SIC. Is iad na cinn is coitianta ná 3C, 4H agus 6H. Tá úsáidí difriúla ag SIC de fhoirmeacha criostail éagsúla. Mar shampla, is féidir 4H-SIC a úsáid chun feistí ardchumhachta a mhonarú; Is é 6h-SiC an ceann is cobhsaí agus is féidir é a úsáid chun feistí optoelectronic a mhonarú; Is féidir 3C-SIC a úsáid chun sraitheanna epitaxial Gan a tháirgeadh agus feistí RF SIC-GAN a mhonarú mar gheall ar a struchtúr comhchosúil le GaN. Tagraítear do 3C-SIC freisin mar β-SIC. Tá úsáid thábhachtach β-SIC mar ábhar tanaí scannán agus sciath. Dá bhrí sin, is é β-SIC an príomhábhar le haghaidh sciath faoi láthair.

Struchtúr ceimiceach-de-β-SiC

Mar tháirgeadh inchaite i dtáirgeadh leathsheoltóra, baintear úsáid as sciath SIC go príomha i bhfoshraitheanna, i epitaxy,idirleathadh ocsaídiúcháin, Eitseáil agus Ionchlannú Ion. Tá riachtanais dhiana ag airíonna fisiceacha agus ceimiceacha an sciath maidir le friotaíocht ardteochta agus friotaíocht creimthe, a théann i bhfeidhm go díreach ar thoradh agus ar shaol an táirge. Dá bhrí sin, tá sé ríthábhachtach go n -ullmhófaí sciath SIC.