Nuacht

Tús an tionscail

Cad is próiseas epitaxy leathsheoltóra ann?13 2024-08

Cad is próiseas epitaxy leathsheoltóra ann?

Tá sé oiriúnach ciorcaid chomhtháite nó feistí leathsheoltóra a thógáil ar chiseal bonn criostalach foirfe. Tá sé mar aidhm ag an bpróiseas epitaxy (EPI) i ndéantúsaíocht leathsheoltóra ciseal breá aonchriostalach a thaisceadh, de ghnáth thart ar 0.5 go 20 miocrón, ar fhoshraith aonchriostalach. Is céim thábhachtach é an próiseas epitaxy maidir le feistí leathsheoltóra a mhonarú, go háirithe i ndéantúsaíocht sliseog sileacain.
Cad é an difríocht idir epitaxy agus ALD?13 2024-08

Cad é an difríocht idir epitaxy agus ALD?

Is é an príomhdhifríocht idir sil -leagan epitaxy agus sil -leagan adamhach (ALD) ná a meicníochtaí fáis scannáin agus a gcoinníollacha oibriúcháin. Tagraíonn Epitaxy don phróiseas chun scannán tanaí criostalach a fhás ar fhoshraith chriostalach le caidreamh treoshuímh ar leith, ag cothabháil an struchtúir chriostal chéanna nó den chineál céanna. I gcodarsnacht leis sin, is teicníc sil -leagain é ALD a bhaineann le foshraith a nochtadh do réamhtheachtaithe ceimiceacha éagsúla i seicheamh chun ciseal adamhach scannán tanaí a dhéanamh ag an am.
Cad é sciath CVD TAC? - Veteksemi09 2024-08

Cad é sciath CVD TAC? - Veteksemi

Is próiseas é sciath CVD TAC chun sciath dlúth agus durable a chruthú ar fhoshraith (graifít). Is éard atá i gceist leis an modh seo ná TAC a thaisceadh ar dhromchla an tsubstráit ag teochtaí arda, agus mar thoradh air sin tá sciath cairbíde tantalum (TAC) le cobhsaíocht theirmeach den scoth agus friotaíocht cheimiceach.
Roll suas! Tá dhá mhór-mhonaróirí ar tí cairbíd sileacain 8 n-orlach a olltáirgeadh07 2024-08

Roll suas! Tá dhá mhór-mhonaróirí ar tí cairbíd sileacain 8 n-orlach a olltáirgeadh

De réir mar a aibíonn an próiseas chomhdhúile sileacain 8-orlach (SiC), tá na monaróirí ag luasghéarú an aistrithe ó 6-orlach go 8-orlach. Le déanaí, d'fhógair ON Semiconductor agus Resonac nuashonruithe ar tháirgeadh SiC 8-orlach.
Dul Chun Cinn Teicneolaíochta Epitaxial 200mm na hIodáile na hIodáile06 2024-08

Dul Chun Cinn Teicneolaíochta Epitaxial 200mm na hIodáile na hIodáile

Tugann an t-alt seo isteach na forbairtí is déanaí in imoibreoir CVD balla te PE1O8 nua-dheartha na cuideachta Iodálach LPE agus a chumas epitaxy aonfhoirmeach 4H-SiC a dhéanamh ar 200mm SiC.
Dearadh Réimse Teirmeach le haghaidh Fás Criostail Aonair SiC06 2024-08

Dearadh Réimse Teirmeach le haghaidh Fás Criostail Aonair SiC

Leis an éileamh méadaitheach ar ábhair SIC i leictreonaic chumhachta, optoelectronics agus réimsí eile, beidh forbairt na teicneolaíochta fáis criostail aonair mar phríomhréimse nuálaíochta eolaíochta agus teicneolaíochta. Mar chroílár an trealaimh fáis criostail aonair SIC, leanfaidh dearadh allamuigh teirmeach ar aghaidh ag fáil aird fhorleathan agus taighde domhain.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept