Sic atá brataithe le doimhneacht UV faoi stiúir UV

Is é an suscóir faoi stiúir domhain UV atá brataithe le SIC an croí -chomhpháirt iTrealamh mocvd (sil -leagan caimiceach orgánach miotail). Bíonn tionchar díreach ag an so -ghabhálaí ar aonfhoirmeacht, rialú tiús agus caighdeán ábhair an fháis dhomhain faoi stiúir UV, go háirithe i bhfás ciseal eipidéimeach alúmanaim (ALN) le hábhar ard alúmanaim, tá dearadh agus feidhmíocht an tso -ghabhálaí ríthábhachtach.

Tá an -tóir ar an soirneoir faoi stiúir UV atá brataithe le SIC le haghaidh epitaxy faoi stiúir domhain UV, agus tá sé deartha go beacht bunaithe ar thréithe comhshaoil ​​teirmeacha, meicniúla agus ceimiceacha chun riachtanais phróisis déine a chomhlíonadh.

Baineann Vetek Semiconductor úsáid as ardteicneolaíocht próiseála chun a chinntiú go ndáileadh teasa aonfhoirmeach an tso-ghabhálaí laistigh den raon teochta oibriúcháin, ag seachaint fás neamh-éide an chiseal eipiciúil de bharr grádán teochta. Rialaíonn próiseáil bheacht go bhfuil an dromchla dromchla, íoslaghdaíonn sé éilliú na gcáithníní, agus feabhsaíonn sé éifeachtúlacht seoltachta teirmeach teagmhála dromchla sliseog.

Úsáideann Semiconductor Vetek graifít SGL mar an t -ábhar, agus déileáltar leis an dromchlaSciath sic cvd, ar féidir leis an NH3, HCl agus atmaisféar ardteochta a sheasamh ar feadh i bhfad. Meaitseálann an Sonraí UV atá brataithe ag Vetek Semiconductor an comhéifeacht leathnaithe teirmeach de shliocht epitaxial ALN/GAN, ag laghdú warping nó scáineadh de bharr strus teirmeach le linn an phróisis.

Níos tábhachtaí fós, déanann SIC UV atá brataithe le Vetek Semiconductor a bheith faoi stiúir an tsobhróra UV faoi stiúir go foirfe do threalamh príomhshrutha MOCVD (lena n -áirítear Veeco K465i, Epik 700, Aixtron Crius, etc.). Tacaíonn sé le seirbhísí saincheaptha do mhéid an tsleasa (2 ~ 8 orlach), dearadh sliotán sliseog, teocht an phróisis agus riachtanais eile.

Cásanna Iarratais:

● Ullmhúchán domhain faoi stiúir UV: Infheidhme maidir leis an bpróiseas eipiciúil feistí sa bhanda faoi bhun 260 nm (díghalrú UV-C, steiriliú agus réimsí eile).

● Epitaxy leathsheoltóra nítríde: Úsáidte le haghaidh ullmhúchán eipiciúil d'ábhair leathsheoltóra amhail nítríd gallium (GAN) agus nítríd alúmanaim (ALN).

● Turgnaimh Epitaxial Leibhéal Taighde: Epitaxy domhain UV agus turgnaimh nua forbartha ábhair in ollscoileanna agus in institiúidí taighde.

Le tacaíocht ó fhoireann theicniúil láidir, tá Vetek Semiconductor in ann soceptors a fhorbairt le sonraíochtaí agus feidhmeanna uathúla de réir riachtanais na gcustaiméirí, tacú le próisis táirgthe ar leith, agus seirbhísí fadtéarmacha a sholáthar.

Sonraí SEM de Scannán Cumhdach CVD SIC:

Airíonna fisiceacha bunúsacha de sciath SIC CVD:

Sé leathsheoltóraSiopa Siopa Táirgí Socraithe faoi stiúir UV atá brataithe le SIC: