Faigh diosca graifít

Vetek Semiconductor's Graphite Discamor, táirge ardfheidhmíochta do phróisis mhonaraithe leathsheoltóra. Tá ár n -uafás diosca graifíte deartha chun riachtanais éilitheacha an tionscail a chomhlíonadh agus chun feidhmíocht agus iontaofacht eisceachtúil a sholáthar. Is é an Susceptor Diosca Graphite seo ná OEM d'ardán imoibreora phláinéid AIX G5.

Úsáidtear GaN-on-Si MOCVD le haghaidh táirgeadh epitaxial LED, agus feabhsaíonn imoibreoir Aixtron G5 toradh agus aonfhoirmeacht an ardáin MOCVD. Chuir patrún aonfhoirmeach siméadrach iomlán rothlaithe ar chúig sliseog 200mm, ag baint úsáide as foshraith sileacain de thiús caighdeánach agus ag rialú iompar lúbthachta wafer an méid a bhí ag teastáil le haghaidh monarú sileacain ar bhonn foirmiúil.

Susceptor Diosca Grafite Ard-íonachta Vetek Semiconductor do GaN-on-Si MOCVD, réiteach iontaofa agus cost-éifeachtach le haghaidh próisis déantúsaíochta leathsheoltóra chun cinn.

Tá ár n-ionadaí diosca graifíte ard-íonachta deartha go sonrach chun freastal ar riachtanais phróisis MOCVD GaN-on-Si. Leis an gcobhsaíocht theirmeach eisceachtúil agus a fhriotaíocht teasa, is féidir leis na coinníollacha teochta éilitheacha a sheasamh de ghnáth ó 800 ° C go 1100 ° C, ag cinntiú an fheidhmíocht is fearr le linn an phróisis sil-leagan.

Soláthraíonn an t-ábhar graifít ard-íonachta a úsáidtear inár n-susceptor diosca friotaíocht ceimiceach den scoth, rud a fhágann go bhfuil sé ag luí leis na réamhtheachtaithe amóinia (NH3) agus miotail orgánacha a úsáidtear go coitianta i GaN-on-Si MOCVD. Cuireann sé seo deireadh leis an ngá atá le breiseBratuithe sic, costais táirgthe a laghdú gan cur isteach ar fheidhmíocht.

Tairgeann an t-ionad diosca grafite ard-íonachta Vetek Semiconductor réiteach cost-éifeachtach gan cur isteach ar cháilíocht. Mar gheall ar a iontaofacht, a marthanacht agus a chomhoiriúnacht le próisis MOCVD GaN-on-Si is é an rogha is fearr le haghaidh monaróirí leathsheoltóra. Iontaobhas ar Vetek Semiconductor chun sopairí diosca graifíte ardfheidhmíochta a sheachadadh do do riachtanais déantúsaíochta MOCVD GaN-on-Si.