Suíomh Graifít Brataithe SiC do MOCVD

Is iompróir graifíte ard-íonachta brataithe SiC é VeTek Semiconductor Susceptor Brataithe SiC le haghaidh MOCVD, atá deartha go sonrach le haghaidh fás ciseal epitaxial ar sceallóga wafer. Mar chomhpháirt lárnach i bpróiseáil MOCVD, a mhúnlaítear go hiondúil mar ghiar nó fáinne, tá friotaíocht teasa eisceachtúil agus friotaíocht creimeadh aige, rud a chinntíonn cobhsaíocht i dtimpeallachtaí foircneacha.

Príomhghnéithe an tSualainn Ghraifíte Brataithe SiC MOCVD:

●   Cumhdach calóg-Resistant: Cinntíonn sé clúdach sciath SiC aonfhoirmeach ar gach dromchla, rud a laghdóidh an baol a bhaineann le scaradh na gcáithníní

●            Sár-fhriotóir Ocsaídiúcháin Ardteochtace: Fanann sé seasmhach ag teochtaí suas le 1600 ° C.

● íonacht ard: Monaraithe trí thaisceadh gaile ceimiceach CVD, atá oiriúnach do choinníollacha clóirínithe ardteochta

● Friotaíocht creimthe níos fearr: An-resistant d'aigéid, alcailí, salainn, agus imoibrithe orgánacha

● Patrún sreafa laminar optamaithe: Feabhsaíonn sé aonfhoirmeacht dinimic an aeir

●   Dáileadh Teirmeach Aonfhoirmeach: Cinntíonn sé dáileadh teasa cobhsaí le linn próisis ardteochta

● Cosc ar éilliú: Cosc ar idirleathadh ábhar salaithe nó neamhíonachtaí, ag cinntiú glaineachta sliseog

Ag VeTek Semiconductor, cloímid le caighdeáin cháilíochta dhian, ag seachadadh táirgí agus seirbhísí iontaofa dár gcliaint. Ní roghnóimid ach ábhair phréimhe, ag iarraidh ceanglais feidhmíochta an tionscail a chomhlíonadh agus a shárú. Is sampla é ár Susceptor Graifíte Brataithe SiC do MOCVD an tiomantas seo do cháilíocht. Déan teagmháil linn le tuilleadh a fháil amach faoi conas is féidir linn tacú le do riachtanais phróiseála sliseog leathsheoltóra.

Struchtúr Crystal Scannán CVD SIC:

Airíonna fisiceacha bunúsacha de sciath SIC CVD:

Leathsheoltóir VeTek MOCVD Glacadóir Graifít Brataithe SiC: