Nuacht

Mar phríomh -mhonaróir i dtionscal na SIC, tá aird fhorleathan tugtha ag dinimic ghaolmhar Sanan Optoelectronics sa tionscal. Le déanaí, nocht Sanan optoelectronics sraith d'fhorbairtí is déanaí, ina raibh claochlú 8 n-orlach, táirgeadh monarchan foshraithe nua, bunú cuideachtaí nua, fóirdheontais rialtais agus gnéithe eile.

I bhfás criostail aonair SIC agus ALN ag baint úsáide as an modh iompair gaile fhisiciúil (PVT), tá ról ríthábhachtach ag comhpháirteanna ríthábhachtacha amhail an Crucible, an sealbhóir síl, agus an fáinne treorach. Mar a léirítear i bhFigiúr 2 [1], le linn an phróisis PVT, tá an criostail síl suite sa réigiún teochta íochtarach, agus tá an t -amhábhar SIC nochta do theochtaí níos airde (os cionn 2400 ℃).

Tá go leor lochtanna ag foshraitheanna cairbíde sileacain agus ní féidir iad a phróiseáil go díreach. Ní mór scannán tanaí criostail aonair a fhás orthu trí phróiseas eipiciúil chun sliseoga sliseanna a dhéanamh. Is é an scannán tanaí seo an ciseal eipiciúil. Baintear amach beagnach gach feiste cairbíde sileacain ar ábhair eipideacha. Is iad na hábhair aonchineálacha aonchineálacha sileacain sileacain an bunús le haghaidh forbairt feistí cairbíde sileacain. Cinneann feidhmíocht na n -ábhar epitaxial go díreach réadú feidhmíocht na bhfeistí cairbíde sileacain.

Tá Silicon Carbide ag athmhúnlú an tionscail leathsheoltóra le haghaidh feidhmchlár cumhachta agus ardteochta, lena n-airíonna cuimsitheacha, ó fhoshraitheanna epitaxial go bratuithe cosanta chuig feithiclí leictreacha agus córais fuinnimh in-athnuaite.