Nuacht

Leis an éileamh méadaitheach ar ábhair SIC i leictreonaic chumhachta, optoelectronics agus réimsí eile, beidh forbairt na teicneolaíochta fáis criostail aonair mar phríomhréimse nuálaíochta eolaíochta agus teicneolaíochta. Mar chroílár an trealaimh fáis criostail aonair SIC, leanfaidh dearadh allamuigh teirmeach ar aghaidh ag fáil aird fhorleathan agus taighde domhain.

Trí dhul chun cinn leanúnach teicneolaíochta agus taighde meicníochta domhain, táthar ag súil go mbeidh ról níos tábhachtaí ag teicneolaíocht heteroepitaxial 3C-SiC sa tionscal leathsheoltóra agus go gcuirfear chun cinn forbairt feistí leictreonacha ard-éifeachtúlachta.

Spásúil ALD, sil-leagan ciseal adamhach scoite ó thaobh spáis. Gluaiseann an wafer idir seasaimh éagsúla agus nochtar do réamhtheachtaithe éagsúla ag gach suíomh. Is comparáid é an figiúr thíos idir ALD traidisiúnta agus ALD atá scoite ó thaobh spáis de.

Le déanaí, tá dul chun cinn déanta ag Institiúid Taighde na Gearmáine Fraunhofer IISB i dtaighde agus i bhforbairt teicneolaíocht sciath carbide tantalum, agus d'fhorbair sé réiteach sciath spraeála atá níos solúbtha agus níos neamhdhíobhálaí don chomhshaol ná an réiteach sil -leagain CVD, agus tá sé tráchtálaithe.