Nuacht

Úsáidtear sil -leagan gaile ceimiceach (CVD) i ndéantúsaíocht leathsheoltóra chun ábhair scannán tanaí a thaisceadh sa seomra, lena n -áirítear SiO2, Sin, etc., agus áirítear le cineálacha a úsáidtear go coitianta PECVD agus LPCVD. Tríd an gcineál gáis teochta, brú agus imoibriúcháin a choigeartú, baineann CVD íonacht ard, aonfhoirmeacht agus clúdach maith scannán amach chun riachtanais éagsúla próisis a chomhlíonadh.

Déanann an t-alt seo cur síos go príomha ar na hionchais iarratais leathan a bhaineann le criadóireacht chomhdhúile sileacain. Díríonn sé freisin ar anailís a dhéanamh ar na cúiseanna atá le scoilteanna shintéirithe i criadóireacht chomhdhúile sileacain agus na réitigh chomhfhreagracha.

Is minic a bhíonn fadhbanna cosúil le héifeacht luchtaithe, éifeacht micrea-groove agus éifeacht muirir, a théann i bhfeidhm ar cháilíocht na dtáirgí. I measc na dtuaslagán feabhsúcháin tá dlús plasma a bharrfheabhsú, comhdhéanamh gáis imoibriúcháin a choigeartú, éifeachtúlacht an chórais folúis a fheabhsú, leagan amach liteagrafaíochta réasúnta a dhearadh, agus ábhair chuí masc eitseáil agus coinníollacha próisis a roghnú.

Is é sintéiriú te an phríomh-mhodh chun criadóireacht ardfheidhmíochta SIC a ullmhú. Áirítear leis an bpróiseas de shintéiriú te: púdar ard-íonachta SIC a roghnú, brú agus múnlú faoi theocht ard agus brú ard, agus ansin sintéiriú. Tá buntáistí íonachta ard agus dlús ard ag criadóireacht SIC a ullmhaítear leis an modh seo, agus úsáidtear go forleathan iad chun dioscaí agus trealamh cóireála teasa a mheilt le haghaidh próiseála sliseog.

I measc na bpríomh -mhodhanna fáis Silicon Carbide (SIC) tá PVT, TSSG, agus HTCVD, gach ceann acu le buntáistí agus dúshláin ar leith. Feabhsaíonn ábhair allamuigh teirmeacha atá bunaithe ar charbón cosúil le córais inslithe, breogáin, bratuithe TAC, agus graifít phóiriúil fás criostail trí chobhsaíocht, seoltacht theirmeach, agus íonacht a sholáthar, atá riachtanach do mhonarú agus do chur i bhfeidhm beacht SIC.