Foshraith SiC de chineál N 4H

Sé leathsheoltóraFoshraith SiC de chineál N 4HTá airíonna leictreacha, teirmeacha agus meicniúla den scoth ag táirgí, mar sin úsáidtear an táirge seo go forleathan i bpróiseáil feistí leathsheoltóra a dteastaíonn ardchumhacht, minicíocht ard, ardteocht agus iontaofacht ard uathu.

Tá neart an réimse leictrigh miondealaithe de 4H N-cineál SiC chomh hard le 2.2-3.0 MV/cm. Ceadaíonn an ghné táirge seo déantúsaíocht feistí níos lú chun voltais níos airde a láimhseáil, agus mar sin is minic a úsáidtear ár n-Substráit SiC 4H N-cineál chun MOSFETanna, Schottky agus JFETs a mhonarú.

Tá seoltacht theirmeach 4H N-cineál SiC Wafer thart ar 4.9 W / cm · K, rud a chabhraíonn le teas a scaipeadh go héifeachtach, carnadh teasa a laghdú, saol an fheiste a leathnú, agus tá sé oiriúnach le haghaidh feidhmeanna dlús ardchumhachta.

Ina theannta sin, is féidir le Vetek Semiconductor 4H N-cineál SiC Wafer feidhmíocht leictreonach cobhsaí a bheith fós ag teochtaí suas le 600 ° C, mar sin is minic a úsáidtear é chun braiteoirí ardteochta a mhonarú agus tá sé an-oiriúnach do thimpeallachtaí foircneacha.

Trí chiseal epitaxial cairbíde sileacain a fhás ar fhoshraith carbide sileacain N-cineál, is féidir an sliseog homoepitaxial carbide sileacain a dhéanamh i bhfeistí cumhachta amhail SBD, MOSFET, IGBT, etc. -Tarchur agus claochlú cumhachta, etc.

Leanann Vetek Semiconductor ar aghaidh ag tabhairt faoi cháilíocht níos airde criostail agus caighdeán próiseála chun freastal ar riachtanais na gcustaiméirí. Faoi láthair, tá táirgí 6 orlach agus 8 n-orlach ar fáil. Seo a leanas na bunpharaiméadair táirge de fhoshraith SIC 6-orlach agus 8-orlach:

6 LNCH N-Type SIC SOBSRATE Sonraíochtaí Táirgí Bunúsacha:

8 LNCH N-Type SIC SOBSRATE Sonraíochtaí Táirgí Bunúsacha:

Modh agus Téarmaíocht Braite Foshraith SiC de chineál N 4H: