Fáinne Etch Grianchloch Ard-íonachta

1.Príomhghnéithe & Buntáistí

• Grianchloch comhleáite díhiodrocsaile de ghrád leathsheoltóra le SiO₂ ≥ 99.999% agus neamhíonachtaí miotalacha rialaithe go docht

• Oibriú leanúnach cobhsaí suas le 1100 ° C, le cumas gearrthéarmach gar do 1200 ° C

• Friotaíocht láidir in aghaidh ceimicí eitse atá bunaithe ar fhluairín agus clóirín agus nochtadh plasma ardfhuinnimh

• Leathnú teirmeach íseal agus dea-fheidhmíocht turraing teirmeach faoi thimthriallta teochta seomra arís agus arís eile

• Folús éalaithe íseal chun brú bonn an tseomra a chosaint agus comhdhéanamh gáis a phróiseáil

• Rialú tríthoiseach ar leibhéal micrin le dromchlaí teagmhála snasta le haghaidh oiriúnach seomra comhsheasmhach agus sainmhíniú teorann plasma

• Dearaí inchumraithe: fáinní cothroma, fáinní eitse céimnithe, fáinní aimsithe/coinneála, agus próifílí lánsaincheaptha d’ardáin uirlisí eitse móra

2.Feidhmchláir tipiciúla

Úsáidtear Fáinní Eitse Grianchloch Ardíonachta i ndlísheomraí próisis eitse plasma tirim le haghaidh:

• Céimeanna eitse plasma gléas loighic agus cuimhne

• Próisis eitse gléas cumhachta SiC agus GaN

• Struchtúr ardghné-cóimheas etch

• Próiseáil plasma tsubstráit optúla agus cumaisc-leathsheoltóra

• etch plasma pacáistithe chun cinn agus céimeanna glantacháin gaolmhara

• Uirlisí saotharlainne agus eitse táirgthe RIE / ICP

3.Príomhpharaiméadair Theicniúla

• Ábhar: Grianchloch chomhleáite díhiodrocsaile de ghrád leathsheoltóra, SiO₂ ≥ 99.999%

• Comhoiriúnacht wafer: 2 / 4 / 6 / 8 / 12 orlach sileacain, SiC, GaN, agus sapphire

• Teocht oibriúcháin: −20 °C go 1100 °C leanúnach; buaic ghearrthéarmach thart ar 1200 °C

• Feidhmeanna príomhúla: iata imeall plasma, treoir sreabhadh gáis, cosaint imeall, agus leithlisiú seomra

• Cáilíocht meaisínithe: lamháltais leibhéal miocrón, dromchlaí snasta, imill rialaithe, agus bailchríoch glan

• Roghanna struchtúir: fáinne comhréidh, fáinne eitse céimnithe, fáinne suite / coinneála, agus geoiméadracht saincheaptha

• Saincheapadh: trastomhas seachtrach / inmheánach, tiús, airde céime, gnéithe lonnú, chamfers, agus sonraí comhéadan in aghaidh an líníochta

4.Cén fáth Roghnaigh Fáinní Etch Grianchloch Ardíonachta VeTek?

Soláthraíonn VeTek Semiconductor crua-earraí grianchloch atá ríthábhachtach don phróiseas le haghaidh uirlisí eitse agus teirmeacha. Maidir le fáinní etch, dírítear ar:

• Íonacht ábhair agus glaineacht dromchla a oireann do thimpeallachtaí ard-eitseáilte tirime

• Cruinneas toise a thacaíonn le rialú teorann plasma cobhsaí agus feistiú seomra in-athdhéanta

• Solúbthacht dearaidh le haghaidh athsholáthair OEM-stíl agus comhéadain seomra go hiomlán saincheaptha

• Raon comhpháirteanna Grianchloch iomlán a chuimsíonn iompróirí wafer, feadáin foirnéise, báid, agus páirteanna próisis ghaolmhara freisin

Trí ard-íonacht, marthanacht plasma, agus rialú céimseata daingean a chomhcheangal, cuidíonn Fáinní Etch Grianchloch Ardíonachta VeTek le feabhas a chur ar aonfhoirmeacht eitse trasna-wafer, laghdaítear lochtanna a bhaineann le himill, agus tacaíonn siad le timthriallta táirgthe níos faide, níos cobhsaí in uirlisí plasma tirim etch.