Nuacht

Foirnéis Epitaxial SIC 8-orlach agus Taighde ar Phróiseas Homoepitaxial

Déanann an t-alt anailís ar airíonna ábhartha na sliseog substráit leathsheoltóra ar nós sileacain, GaAs, SiC agus GaN

Déanann an t-airteagal seo cur síos den chuid is mó ar theicneolaíocht eipidéimeach íseal-teochta atá bunaithe ar an GAN, lena n-áirítear struchtúr criostail na n-ábhar atá bunaithe ar an GAN, 3. riachtanais teicneolaíochta agus réitigh fhorfheidhmithe, na buntáistí a bhaineann le teicneolaíocht eipidéimeach ísealteochta bunaithe ar phrionsabail PVD, agus na hionchais forbartha a bhaineann le teicneolaíocht eipiciúil ísealteocht.